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Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

Certificat
De bonne qualité Puce programmable d'IC en ventes
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L'électronique de Koben a été le seul fournisseur composant chinois pour fournir le taux de disponibilité de 100%.

—— James Cassidy - Avara

J'aime que Koben puisse aider avec des composants d'approvisionnement non seulement, mais des modules, des plastiques et métal ouvré.

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Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

Chine Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC fournisseur

Image Grand :  Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ON Semiconductor
Certification: ROHS
Numéro de modèle: FDS8984

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Prix: negotiate
Détails d'emballage: paquet 2500PCS/Standard
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Bâti 8-SOIC de surface du N-canal de la rangée 2 du transistor MOSFET FDS8984 (double) 30V 7A 1.6W

Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 7A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 13nC @ 10V
Entrez la capacité (Ciss) (maximum) @ Vds 635pF @ 15V
Puissance - maximum 1.6W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C

 

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